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SIA467EDJ-T1-GE3中文资料

SIA467EDJ-T1-GE3图片

SIA467EDJ-T1-GE3外观图

  • 大小:212KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):72 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2520 pF @ 6 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerPAK? SC-70-6 单
  • 封装/外壳:PowerPAK? SC-70-6

SIA467EDJ-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-18 19:42:13
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